我们东南大学射频与光电集成电路研究所暨电路与系统学科“长江学者奖励计划”特聘教授黄风义博士领导的研究小组，在国家自然科学基金等项目的支持下，日前在微电子和集成电路器件模型研究方面取得了新的进展，其成果论文“Effect of substrate parasitic effect on silicon-based transmission lines and on-chip inductors”(作者：黄风义，陆静学，朱玉峰，姜楠，王显超，池毓宋 )发表在由国际电子电气工程师协会（IEEE）主办的微电子器件领域权威的学术期刊《电子器件快报》（IEEE Electron Device Letters）2007年第28卷第11期。
　　本次研究成果是关于硅基传输线以及在片螺旋电感中衬底寄生效应的影响，在国际上首先提出了一种新的寄生效应，可以解释传统模型中所无法解释的一些非线性效应。传统的寄生效应如趋肤效应和衬底耦合效应都不能解释传输线或电感衬底部分的特征函数在高频下显示的非线性特性。该课题组的研究发现，在π-型结构的等效电路中引入衬底寄生电感效应，可以很好地描述高频下衬底特征函数的非线性特征。使用该电路模型并结合特征函数参数提取方法可以对传输线、在片电感和变压器提供高精度的仿真结果。该成果对进一步完善电感元件的模型和性能优化将有重要的指导意义。
　　本次也是黄教授课题组继2006年在《固态电路杂志》(IEEE Journal of Solid-State Circuits)上发表文章之后，又一次在国际权威杂志上发表文章，这对提高我们在微电子领域的研究开发能力，提升我们在相关领域国际上的学术地位都具有一定的意义。