我所冯军教授和胡庆生教授翻译的《模拟CMOS电路设计折中与优化》(“Tradeoffs and Optimization in Analog CMOS Design”)一书，日前已由电子工业出版社出版。该书英文版是由美国北卡罗来纳大学夏洛特分校的DAVID M. BINKLEY教授撰写的关于模拟CMOS电路优化折衷的专著，出版于08年。书中首次从折衷和优化的角度展示了模拟CMOS电路的设计，很多内容都是对现有书籍的一个补充。该书的一大特点是大量的设计数据来自于0.18um CMOS工艺设计的测试，给出的工艺具有先进性，尤其对实际具有直接指导作用。其另一特点是对实际的高水平设计中需要考虑的二阶效应作了较为深入细致的分析，有利于读者在以后更小尺寸工艺上进行更高水平电路的设计。该书可以作为大专院校的研究生教材，也可作为集成电路设计领域高水平技术人员的参考书。

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