2012年-2013年，李智群教授负责的射光所和中国电子科技集团某研究所合作项目“S波段硅基变频收发芯片”，成功完成了硅基变频芯片的研发。与砷化镓芯片相比，硅基射频微波电路具有功耗低、集成度高等优点，但其噪声性能和线性度较差。芯片设计团队克服重重困难，成功地在单芯片上集成了低噪声放大器、混频器、可变增益放大器、功率驱动器、基准控制器等多个电路，并创新性地提出了交叉耦合巴伦低噪放拓扑结构和片上温度自适应控制技术，解决了宽频带输入匹配、自动温度补偿和成品率控制等多项工程难题。与国内同类芯片相比，该芯片具有集成度更高、带宽更宽、芯片面积更小、功耗与成本更低等显著特点。2015年初S波段硅基变频收发芯片已成功量产十万片。

芯片显微照片

芯片照片