射光所用0.25umCMOS工艺做出工作速率超过10Gbit/s的集成电路 (2001.4.15)

射光所用0.25umCMOS工艺做出工作速率超过10Gbit/s的集成电路

　　东南大学射频与光电集成电路研究所采用0.25umCMOS工艺成功研制出10Gb/s超高速分接电路。

　　超高速电路的设计通常采用器件速率较快的Ⅲ/Ⅴ族化合物，如GaAs工艺和双极性工艺，但这些工艺价格昂贵，不能够大规模集成。随着CMOS工艺向深亚微米发展，已有可能利用CMOS工艺实现Gb/s的超高速集成电路。东南大学射频与光电集成电路研究所采用0.25umCMOS工艺研制的10Gb/s 超高速分接电路实现了世界范围内COMS工艺的最高速率，而且尚无其它采用0.25umCMOS工艺的设计达到这个速率。

芯片照片

工作在10Gb/s时的测试眼图

工作在2.5Gb/s时的测试眼图