我所取得40Gb/s芯片设计突破

发布人: 管理员    发布时间: 2004-09-07    浏览次数: 406

射频与光电集成电路研究所取得40Gb/s芯片设计突破    2004年7月5日，东南大学无线电系射频与光电集成电路研究所承担的国家863计划项目“10-40Gb/s 光收发关键器件芯片技术研究”取得重大进展，课题组研制的激光驱动器首次得到40Gb/s的测试结果。 10-40Gb/s激光驱动器芯片照片 芯片在40.5Gb/s输入时获得的输出信号眼图 （芯片设计：黄颋，博士研究生，导师：王志功教授，芯片工艺：0.2um GaAs PHEMT射光所） 射光所芯片测试系统部分设备 测试结果的获得，不仅标志着射光所在超高速芯片设计技术方面的积累已达到国际先进水平，同时也标志着射光所测试技术和系统的完善和成熟，在测试过程中，射光所采用了新近购置的Agilent 81250 644Mb/s~43Gb/s并行比特误码测试仪。40Gb/s激光驱动器成果的获得，对推动国内射频、光电与微波集成电路的研究和产业化起着重要推动作用。