黄风义博士应邀担任我校兼职教授(2001.12.25)

黄风义博士应邀担任我校兼职教授

左：黄风义博士，右：副校长邹采荣教授

　　东南大学于2001年12月25日上午在无线电工程系射频与光电集成电路研究所举行仪式，聘任美国IBM高级半导体技术中心高级工程师(Advisory Engineer) 黄风义博士为东南大学兼职教授。无线电工程系射频与光电集成电路研究所所长王志功教授主持仪式。东南大学副校长邹采荣教授致辞并向黄风义博士颁发证书、佩带校徽。无线电工程系张锡昌书记出席了本次仪式并讲了话。随后，黄风义博士作了题为高速与高频IC 工艺与设计的精彩讲演。

　　黄风义博士，1986年学士毕业于北京大学物理系，1988年硕士复旦大学物理系半导体物理专业，1989年获李政道物理奖学金赴英国巴斯大学留学(由英国政府的海外留学生奖学金资助)，1991入美国宜利诺斯大学香槟分校攻读博士, 1994获博士学位后转加利福尼亚大学落杉矶分校电子工程系做博士后，从事硅基谐振腔光探测器：材料结构、器件工艺和测试研究。1997年以来在美国IBM高级半导体技术中心任高级工程师(Advisory Engineer)。从事高频通信电子器件技术和产品开发, 超大规模集成电路生产线管理。作为第一位也是唯一华人, 在 IBM 从最早一代开始, 参与了国际先进的主要用于高频通信器件的锗硅工艺和产品三代技术的开发和大规模生产；在 2000-2001年领导了新一代将用于超高速光纤通信 (40 Gb/s)的电子器件的技术开发，获IBM 微电子部总经理的杰出贡献奖；在先进的锗硅技术, 铜连接技术以及绝缘衬底技术 (SOI) 方面拥有多项美国专利；已在国际一流学术期刊和国际会议上发表50篇论文，在英国权威的物理学会出版社出版的 <薄膜工艺和技术手册> 上发表两章专论；曾任 IEEE Photonic West (Si-Based Opto-Electronics) 1999, 2000年两届国际会议的组委会委员。

　　黄风义博士应邀担任我校兼职教授对我校的学科建设，对推进我国射频、微波和光通信技术的发展都将会作出贡献。

副校长邹采荣教授为黄风义博士佩戴东南大学校徽