东大设计的两芯片达国际领先水平
发布人: 宋老师    发布时间: 2002-01-21    浏览次数: 36

东大设计的两芯片达国际领先水平

  

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新华日报 2002121星期一 A2

本报迅:由省科技厅主持的东南大学射频与光电集成电路研究所科技成果鉴定会日前在宁举行,来自各地的10多位国家“863计划”光电子主题、微电子重大专项专家和部分国内高科技企业的老总们在会上对该所11个项目的研究成果给予了高度评价,认为他们利用国内第一个无生产线集成电路设计环境研制的11种芯片中,9种达到国际先进水平,2种达到了世界领先水平。
该所自1997年底成立以来,在教育部“211工程”、留学回国人员启动基金、国家杰出青年基金、国家863计划和江苏省科学基金等多项基金支持下,避开我国此前在工艺制造方面的弱势,利用境外先进的集成电路生产线工艺,分别与美国MOSIS工程和法国CMP组织建立了全面合作关系,建成了国内第一个无生产线集成电路设计环境,并以无生产线集成电路设计的方式批量设计出拥有自主知识产权、具有世界先进水平的集成电路。
据介绍,在过去十多年时间内,光纤传输系统中如此高速率的电路多是用双极性硅或三/五族化合物如砷化镓和磷化铟工艺实现的。但这些工艺集成度低、成本高,且不易获得(国内目前还没有批量生产的能力)。而射光所设计的芯片所采用的CMOS工艺就克服了上述难题,放在目前国内“华虹NEC”、“中芯国际”以及建设中的“宏力”等半导体制造厂商都可以加工,因此具有广阔的产业化前景。