射频集成电路设计
发布人: 宋老师    发布时间: 2016-08-25    浏览次数: 237

射频集成电路设计

RF-IC DESIGN

方向简介:

  过去十几年里,无线通信技术得到了飞跃式的发展,形成了对收发信机射频集成电路的巨大需求。以往,人们认为CMOS工艺速度低、噪声大,不适用于射频电路设计,收发机中的收发开关、低噪声放大器、功率放大器等大都利用砷化镓或双极性硅的分立元件或低集成度射频芯片实现。随着特征尺寸的减小,深亚微米工艺MOS管的特征频率已经达到50GHz以上,使得利用CMOS工艺实现GHz频段的高频模拟电路成为可能,并在全世界形成了一个研究热点,取得了一系列令人鼓舞的成果。射光所瞄准这一国际前沿,致力于移动通信和无线接入系统射频芯片的研究,努力提高我国射频集成电路设计技术,缩短与国际先进水平的差距。我们将在这一领域继续深入研究,积极开展合作,利用国际上的先进技术和工艺,为我国集成电路设计事业的发展做出贡献。

  

研究内容:

  移动通信及无线接入系统用射频集成电路,包括低噪声放大器、混频器、振荡器、功率放大器等。一个无线接收机系统框图如下。

  

研究成果:

  已利用0.35mm CMOS工艺设计出了多种射频电路芯片,并以多项目晶圆的方式在境外成功投片。这是我国第一片拥有自主知识产权的工作频率高于2GHzCMOS工艺射频芯片,性能达到了目前世界上高频芯片的研究水平。

  

负责人:

李智群博士